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SAMSUNG 990 EVO Plus SSD 4TB M.2 NVMe PCIe
778,00 €
SKU
CP047337406
SAMSUNG 990 EVO Plus SSD 4TB M.2 NVMe PCIe
| Produktbeschreibung | |
| Die Samsung 990 EVO Plus ist ein leistungsstarkes internes Solid State-Laufwerk, das mit einer Kapazität von 2 TB die Speicherleistung erhöht. Ausgestattet mit der Samsung V-NAND TLC-Technologie gewährleistet dieses Laufwerk eine Hochgeschwindigkeitsdatenübertragung mit einer internen Datenrate von 7250 MB/s und einer Schreibgeschwindigkeit von 6300 MB/s, was einen nahtlosen Betrieb für anspruchsvolle Anwendungen und die Verwaltung großer Dateien ermöglicht. Mit der Unterstützung von PCI Express 4.0- und 5.0-Schnittstellen erfüllt es verschiedene Systemanforderungen und bietet gleichzeitig Geschwindigkeit und Zuverlässigkeit. Mit fortschrittlichen Funktionen wie der Intelligent TurboWrite Technology und einem Auto Garbage Collection Algorithmus sorgt die Samsung 990 EVO Plus auch bei hoher Arbeitsbelastung für Effizienz und Haltbarkeit. Mit einer Stoß- und Vibrationsfestigkeit von bis zu 1500 g und einem Temperaturbereich von -40°C bis 85°C ist sie sowohl für private als auch für professionelle Umgebungen geeignet. Diese SSD gewährleistet einen schnellen Datenzugriff und bietet eine Hardwareverschlüsselung für verbesserte Sicherheit, was sie zu einer idealen Wahl für Benutzer macht, die die Systemleistung verbessern möchten. | |
| Kaufargumente | |
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| Produkt: | |
| Produktname: | SAMSUNG 990 EVO Plus SSD 4TB M.2 NVMe PCIe |
| Produktbeschreibung: | Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0 - SSD - verschlüsselt - 4 TB - intern - M.2 2280 - PCIe 5.0 x2 (NVMe) - 256-Bit-AES - TCG Opal Encryption 2.0 |
| EAN-Code: | 8806095575667 |
| Herstellergarantie: | 24 Monate Bring-In Garantie |
| Allgemein | |
| Gerätetyp: | Solid State Drive - intern |
| Kapazität: | 4 TB |
| Hardwareverschlüsselung: | Ja |
| Verschlüsselungsalgorithmus: | 256-Bit-AES |
| NAND-Flash-Speichertyp: | TLC (Triple-Level Cell) |
| Formfaktor: | M.2 2280 |
| Schnittstelle: | PCIe 5.0 x2 (NVMe) |
| Merkmale: | Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Geräte-Schlafunterstützung, Host Memory Buffer (HMB), TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667 |
| Breite: | 22.15 mm |
| Tiefe: | 80.15 mm |
| Höhe: | 2.38 mm |
| Gewicht: | 9 g |
| Leistung | |
| Interner Datendurchsatz: | 7250 MBps (lesen)/ 6300 MBps (Schreiben) |
| Maximal 4 KB Random Write: | 1400000 IOPS |
| Maximal 4 KB Random Read: | 1050000 IOPS |
| Zuverlässigkeit | |
| MTBF: | 1.500.000 Stunden |
| Erweiterung und Konnektivität | |
| Kompatibles Schaltfeld: | M.2 2280 |
| Stromversorgung | |
| Energieverbrauch: | 5.5 watt (Lesen) 4.8 watt (Schreiben) 60 mW (Standby) 5 mW (Sleep-Modus) |
| Software & Systemanforderungen | |
| Software inbegriffen: | Samsung Magician Software |
| Verschiedenes | |
| Gehäusematerial: | Nickelbeschichtung |
| Abmessungen & Gewicht (Transport) | |
| Transportbreite: | 9.9 cm |
| Transporttiefe: | 2.29 cm |
| Transporthöhe: | 14.2 cm |
| Umgebungsbedingungen | |
| Min Betriebstemperatur: | 0 °C |
| Max. Betriebstemperatur: | 70 °C |
| Min. Lagertemperatur: | -40 °C |
| Max. Lagertemperatur: | 85 °C |
| Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb: | 5 - 95 % (nicht kondensierend) |
| Schocktoleranz (nicht in Betrieb): | 1500 g @ 0,5 ms |
| Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb): | 20 g @ 20-2000 Hz |
Die technischen Daten werden uns von dritter Seite zur unverbindlichen Information zur Verfügung gestellt. Wir übernehmen keine Haftung für Fehler dieser Daten.
| EAN | 8806095575667 |
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